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型号 IPD031N06L3 G
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
IPD031N06L3 G PDF
代理商 IPD031N06L3 G
标准包装 2,500
系列 OptiMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 100A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 3.1 毫欧 @ 100A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 2.2V @ 93µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 79nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds 13000pF @ 30V
功率 - 最大 167W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装 PG-TO252-3
包装 带卷 (TR)
其它名称 SP000451076
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